Большая советская энциклопедия - ионное внедрение

Ионное внедрение, ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10—100 кэв проникают на глубину 0,01—1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определенных кристаллографических направлений резко возрастает (см. Каналирование заряженных частиц). При интенсивной бомбардировке на И. в. влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедренных ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедренных ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени. И. в. наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедренные ионы заняли определенные места в узлах кристаллической решетки. И. в. позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых химических элементов. При этом можно управлять распределением внедренных ионов по глубине путем изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно кристаллографических осей. И. в. позволяет создать в полупроводниковом кристалле электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов. Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников (кремний, германий), пер. с англ., М., в печати; Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971. Ю. В. Мартыненко.